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#11 | |
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Registriert seit: 20.12.2020
Beiträge: 154
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Zitat:
Der Aufwand zur Produktion des Sensors ist höher aber vergleichbar mit den schon seit Jahren vorhandenen stacked Sensoren, wo die Ausleseelektronik ja auch auf der Vorderseite des Wafers aufgebracht ist. Dass sich das bis zur A9III nicht schon in den Fotokameras durchgesetzt hat, hat mit der Qualität des Ergebnisses zu tun. Einfach gesagt versaut die für den GS notwendige Elektronik und Schaltspitzen das Messsignal. Es ist schon eine Herausforderung > 50 Millionen Schaltkreise gleichzeitig zu aktivieren ohne dass die dadurch erzeugten Stromspitzen sich nicht auf die AD-Wandler auswirken, da zappeln dann nicht nur die letzten 3 Bits sondern locker mal das ganze untere Byte der AD-Wandlung. Das gleiche Problem im Kleinen hatte ja auch die A9I. Dessen Sensor besteht prinzipiell aus dem BSI-Teil einer A7III und Stacked Elektronik auf der Chip/Wafer Vorderseite. Dass Ergebnis war ein etwas höheres Rauschen und schlechtere Dynamik wie im Vergleich zur A7III. Deshalb wurden mit dem elektronischen Verschluss nur 12Bits ausgelesen. Bei der A9II wurde das etwas verbessert, die konnte dann elektronisch auch 14 Bit. Erst mit der A1 gab es da einen technischen Quantensprung, ca. 4 mal schnellere Datenbandbreite und top Qualität. Geändert von db2gu (10.11.2023 um 11:29 Uhr) |
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