[Porty]

O.k. Wieder was dazu gelernt!


Ich bin bisher davon ausgegangen, dass bei C- MOS Sensoren die A/D Wandlung mit auf dem Sensor integriert ist, zum einen wegen dem Rauschen (Länge und damit Widerstand der Leitungsbahnen) und zum Anderen, um die Zahl der Anschlüsse im Rahmen zu halten. Wenn ich mich richtig erinnere ist beim Sensor der A9 die oberste Lage der eigentliche Sensor, dann kommt als nächsten Lage der Zwischenspeicher und der unterste Chip ist dann der Bildprozessor.
https://www.dkamera.de/news/grundlag...ldsensoren.jpg
Dementsprechend gehe ich davon aus, dass sich der Sensor der A9 schon deutlich von den anderen Sensoren unterscheidet und deutlich komplexer im Aufbau ist.
Andererseits würde ich mich nicht wundern, wenn die eigentlichen Bildwandlerzellen auf dem Sesnor gleich oder zumindest sehr ähnlich aufgebaut sind.