Am 11.05. wird Sony das neue Xperia I Mark V vorstellen, das erstmals mit einem 1" 2-Layer Transistor Pixel Sensor ausgerüstet sein wird.
Bei der aktuellen Technologie besteht ein Pixel aus einer Photodiode und einem Transistor, die nebeneinander angeordnet sind. Das heisst, die Sensorfläche besteht zu ca. 50% Photodioden und 50% Transistoren.
Bei der neuen 2-Layer Technologie werden die Transistoren unterhalb der Photodioden auf einem separaten Layer angeordnet. Dadurch passen auf einen 1" Sensor ca. doppelt so viele (oder auch doppelt so grosse) Photodioden wie bisher. Das bedeutet, ein 2-Layer Transistor Pixel Sensor ermöglicht auf gleicher Fläche eine wesentlich bessere Lichtausbeute als bisher.
O-Ton
Sony Press Release:
Zitat:
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Die neue Stacking-Technologie ermöglicht die Einführung von Architekturen, bei denen die Fotodioden- und Pixeltransistorschichten jeweils optimiert werden können. So wird der Signalsättigungswert im Vergleich zu herkömmlichen Bildsensoren in etwa verdoppelt, der Dynamikbereich erweitert und das Rauschen reduziert, was die Abbildungseigenschaften erheblich verbessert. Die Pixelstruktur der neuen Technologie ermöglicht es, die bestehenden Eigenschaften der Pixel nicht nur bei den derzeitigen, sondern auch bei kleineren Pixelgrößen beizubehalten oder zu verbessern.
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Damit könnte man einiges anstellen und so ein Sensor wäre natürlich auch in einer Vollformatkamera wünschenswert. Sony setzt die Technologie erst mal bei einem Smartphone ein, da dort die Sensoren nicht beliebig vergrössert werden können. Bessere Lichtausbeute auf kleinem Raum ist das, was das Xperia I Mark V auszeichnen könnte.
Bin gespannt auf die Präsentation und noch mehr darauf, wann und in welchen Kameras Sony diese Technologie als nächstes bringen wird.
Infos zur Technologie gibt es unter anderem auch bei
PetaPixel