NetrunnerAT |
13.06.2015 09:54 |
Zitat:
Zitat von Fata Morgana
(Beitrag 1712122)
Ich würde gerne mehr über den "stacked" CMOS-Sensor erfahren, leider steht da nichts außer den üblichen Marketingbotschaften. :(
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Ist keine Marketingbotschaft!
Derzeit wird das Stacked Bonding im Flash, Ram und CPU Bereich massiv Weiterentwickelt und in der Produktion eingesetzt. Flash Chips gibt es derzeit mit 4 Stacks. CPUs bekommen so ein L3 Speicher huckepack drauf geklatscht etc ...
Sony hat diese Idee weiter gesponnen und sozusagen auf den umgedrehten CMOS gleich den Zwischenspeicher drauf geklatscht, der mit einer viel höheren Taktrate betrieben werden kann, da die Wege extrem kurz sind. Dadurch kann man anscheinend den CMOS auch schneller auslesen. Womöglich erspart man sich dadurch ein zwei Arbeitsschritte in der Verarbeitungskette. Wenn der RAM noch Asynchron betrieben werden kann, Taktet der CMOS so oder so in einer Eigenen Welt und der DRam kümmert sich um Abfragen von Außen ohne Beeinflussung des CMOS.
Mich wundert bei den ganzen Ankündigungen und Erklärungen nur eins ... seit wann hat Sony den Zugang zu diese Patente oder Entwickelt solche Hochtechnologie selber?
Kupfer auf Chips IBM, diese Bonding Geschichte hab ich schon mal in Verbindung mit SanDisk und zwei Universitäten in der USA und England gelesen.
http://de.wikipedia.org/wiki/3D-Integration
http://upload.wikimedia.org/wikipedi...l_%28DE%29.png
Übrigens ... diese Technik ist übrigens aus der Konventionellen Elektrotechnik abgekupfert ;-)
Gerade so dinge wie Super Slow Motion Pumpt extrem viel an Roh Daten durch die Gegend. So wie ich die Sony Botschaften lese, wird hier wirklich der DRam verwendet um eine Asynchrone Datenverarbeitung zustande zu bekommen, die Extrem hoch Taktet. Quasi der DRam wird mit massiv kurzen Random Writes gefüttert und die Nachbearbeitung holt sich in einem Rutsch 200 oder mehr Teilbilder in einem einzigen Read vom CMOS.
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